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根據(jù)最近的機構(gòu)研究報告，為您總結(jié)相關(guān)行業(yè)的投資要點，供參考：

1.美光Q3業(yè)績優(yōu)于預期，預計FY4Q23情況繼續(xù)向好。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)看，DRAMBit出貨量環(huán)比增長10%，價格環(huán)比下降10%；NANDBit出貨量環(huán)比增長30%以上，價格環(huán)比下降15%左右。雖然產(chǎn)品價格還有下降，但相較第二財季已有明顯收縮。

2.美光等海外龍頭削減資本開支，存儲周期拐點已現(xiàn)。從產(chǎn)量看，DRAM與NAND產(chǎn)量相比于Q2將進一步減產(chǎn)30%，同時減產(chǎn)將持續(xù)到24年。此前海力士也發(fā)布23年Q1財報，資本開支在22年Q2后保持下降趨勢，且?guī)齑嬉餐瓉砉拯c。

3.AI算力需求拉動存儲技術(shù)升級、容量攀升，成為美光出貨量增長重要推動力。受益AI服務器對HBM高帶寬顯存需求強勁，公司也正密切與客戶合作，并開始提供行業(yè)領(lǐng)先的HBM3樣品，該產(chǎn)品預計將于2024年初開始量產(chǎn)，后續(xù)有望快速放量。此外，美光也持續(xù)推動DDR5升級，公司DDR5出貨量Q3（23財年）同比Q2增加超過100%，預計2024Q1末DDR5出貨量趕超DDR4。NAND方面，目前美光也已推出232層3DNAND，在AI服務器存儲需求拉動下，產(chǎn)品出貨量有望增加，助力美光營收提升。

4.美光“被禁”加速國產(chǎn)存儲替代。美光表示預計約有50%在華業(yè)務將受到影響。此次美光“被禁”，我們認為標志國產(chǎn)存儲廠商在部分細分領(lǐng)域已有一定替代空間，將實際加速國產(chǎn)存儲替代進程，利好直面美光競爭的存儲細分環(huán)節(jié)。

5.投資建議：存儲周期底部拐點漸行漸近，近期諸多原廠提價動向也表明價格進入底部博弈狀態(tài)。長期看，AI驅(qū)動存儲技術(shù)升級、容量提升，尤其HBM需求快速增長。重點關(guān)注：1）存儲芯片：東芯股份、恒爍股份、普冉股份、北京君正(300223)、兆易創(chuàng)新(603986)等；2）存儲（以上內(nèi)容為自選股智能機器寫手差分機完成，僅作為用戶看盤參考，不能作為操作依據(jù)。）

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