(資料圖片)

SK海力士20日宣布，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品，并正在接受客戶公司的性能驗證。

據了解，SK海力士在此次此新產品采用了MR-MUF和TSV技術。SK海力士表示，通過MR-MUF技術加強了工藝效率和產品性能的穩定性，又利用TSV技術將12個比現有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊，實現了與16GB產品相同的高度。

TSV技術指的是硅通孔技術，在DRAM芯片打上數千個細微的孔，并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的先進封裝技術。采用該技術的SK海力士HBM3 DRAM可每秒傳輸163部全高清（Full-HD）電影，最大速度可達819GB/s。

關鍵詞：